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517 京东方的求救(4k)(2 / 8)

胡煜华看向坐在高背皮椅上的陆飞,「可这么换,我们是不是太吃亏了?」

陆飞笑道:「吃亏?你觉得oled、amoled专利换3dnand闪存不值得?」

「当然!」

胡煜华不假思索地点头,「nand闪存本来是东芝创造的,之所以后来被三星反超,不就是三星率先研发出1gb内存,才牢牢占据全球第一的市场份额吗?

现在我们更是从2d直接突破到3d,再加上nor闪存已经取得的优势,完全有机会把三星拉下马!」

「你说得不是没有道理。」阑

陆飞嘴角上扬,「但如果我告诉你,东芝和我们合作的bisc技术有缺陷呢?」

「不会吧陆总?缺陷在哪?」

胡煜华瞪大眼睛。

「我们实验得出的几项关键数据,跟东芝的完全不一样,差得还不是一点点。」

「您是说东芝又在数据上造假了?」

「这个「又」字用的很对!」

陆飞不爽地撇撇嘴,日企仔技术资料和研究数据上造假早就是惯犯,蜜月期的时候就被坑惨啦,设备、零部件乃至原料全都有鬼。阑

三峡工程就差点招标霓虹造假的钢铁。

狗屁的工匠精神!

东芝根本没法做出有效的bics,本来整个工艺是交替沉积氧化物(sio)层和多晶硅(psi)层实现的,然后在这个层堆叠中形成一个通道孔,填充氧化物—氮化物—氧化物(ono)和psix。

接着沉积光刻胶,在连续的蚀刻流程后,光刻胶修整再蚀刻出个阶梯,形成互连。

最后一

步,蚀刻出一个槽再填充氧化物。

然而问题不是出在第三步的光刻胶蚀刻,就是出在流片封测上,哪怕侥幸成功,粗粗一算,良品率低得简直令人发指——

才6

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